![]() |
||||
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Басов Блохинцев Боголюбов Вавилов Иоффе Капица Ландау Лебедев Попов Фан-Дер-Флит Флеров Фок Франк Френкель Фридман Чижевский Черенков |
Иоффе Абрам Васильевич(1880–1960)
Cоветский физик, крупный организатор науки, академик АН СССР (1920; чл.-корр. 1918), вице-президент АН СССР (1926-29, 1942-45), Герой Социалистического Труда (1955). Член КПСС с 1942. Родился 29 октября 1880 в Ромнах Полтавской губернии. Окончил Ромненское реальное училище (1897), Санкт-Петербургский технологический институт (1902), Мюнхенский университет (1906). В 1903–1906 работал ассистентом В.Рентгена в Мюнхене, где получил учёную степень доктора философии. С 1906 – старший лаборант Петербургского политехнического института, с 1913, после защиты докторской диссертации, – профессор этого учебного заведения. В 1913 ему была присвоена учёная степень магистра физики, а в 1915 за исследование упругих и электрических свойств кварца – степень доктора физики. В 1932 организовал и возглавил Физико-аграрный институт. По инициативе Иоффе были созданы физико-технические институты в Харькове, Днепропетровске, Свердловске, Томске, Институт химической физики, Электрофизический институт. Научные работы Иоффе посвящены физике твердого тела и общим вопросам физики. В 1913 он доказал статистический характер вылета электронов при внешнем фотоэффекте, в 1916–1923 исследовал механизм проводимости ионных кристаллов. В 1924 получил важные результаты в области прочности и пластичности кристаллов, имевшие большое значение для техники. Установил, что незначительные примеси сильно влияют на электропроводность диэлектриков, разработал методы очистки кристаллов. Эти работы послужили основой при создании новых электротехнических материалов. В начале 1930-х годов интересы Иоффе сосредоточились на исследовании полупроводников как новых материалов для электроники. Им создана методика определения основных параметров, характеризующих свойства полупроводников, создана система классификации этих материалов. Эти работы положили начало развитию новых областей полупроводниковой техники – термо- и фото-электрических генераторов и термоэлектрических холодильных устройств. В конце 1930-х годов Иоффе предложил механизм выпрямления тока в полупроводниках, нашедший применение при производстве диодов. Уделяя много внимания педагогическим вопросам, организовал новый тип физического факультета - физико-технический ф-т для подготовки инженеров-физиков в Политехническом институте в Петрограде (1918). Иоффе создал большую школу физиков, многие из которых стали основателями собственных школ. Умер Иоффе в Ленинграде 14 октября 1960. |